经业界验证的CLUSTERLINE® 300是一个灵活的机台，可轻松配置单腔或特殊的批量生产溅射模块。

设备亮点

选择CLUSTERLINE®300 II进行晶圆级封装，背面金属化 / 薄晶圆加工以及光电子领域的应用。

• 集成了单腔PVD，高离子PVD和软刻蚀腔体
• 最低可以取放300μm，弯曲度达4mm的薄晶圆，
• 兼容200 / 300mm 桥或分离式设备
• 在WLP应用中新的除气和极低温刻蚀技术，可对有机晶圆进行除气
• 有300mm FOUP装载端口的或200mm的开放式盒式端口
• 晶圆校准器，旋转预对准精度达 (0.3°) 和晶圆聚中精度 (0.05mm)
• 3轴至5轴SCARA机器人选件
• 晶圆翻转台应用于背面金属工艺，缓冲区最多可放置6片晶圆
• 集成多达六个单片式处理模块（溅射和蒸发模块均可），两个批量式鼓式处理模块（BMD）或两者配置在一起有机结合

量产Drum模块（BMD）技术

用于定制化应用，例如在微处理器封装上生产集成稳压器 (IVR) 工艺，现在可配置2个独特的量产模块，可实现同步软磁材料镀膜，极大的降低了生产成本。

根据您的要求，该设备还可以配置1个量产Drum模块和最多3个单独工艺腔 (SPM)。

机台概览

• 自带双对称臂的电磁驱动自动控制系统
• 成熟的薄晶圆处理和加工能力
• 在高真空下最精确晶圆放置和自动校正
• 集成多达6个单腔晶圆处理模块 (SPM)，2个量产Drum模块 (BMD) 或组合

工艺模块/组件

• ICP轻刻蚀模块 - SiO2刻蚀速率，0.6 - 0.8 nm/sec
• 用于3D封装的高深宽比TSV应用的高离子PVD源
• 卡盘控制温度在-30至500°C之间
• 机械晶圆夹片和金属或陶瓷卡盘
• 带挡板的ESC或无夹头卡盘
• 带有加热或者冷却的静电吸附卡盘（ESC），实现更好的精确的温度控制
• 有夹卡盘可实现底部传导热 / 冷气体，实现精确的温度控制和卡盘射频偏压
• ARQ 310直流 (DC) 或脉冲直流 (pulsed DC) 溅射源，在靶材寿命内具有均匀性补偿功能
• ARQ 320 RF，RF-DC，DC或脉冲DC溅射源，具有增强的颗粒控制和更好的均匀性
• 带有直接冷却功能的长寿命靶材，改善拥有成本（COO）
• 旋转卡盘和多靶材 - 可实现单个腔体内最多可有4个RF或DC源，用于单溅射或共溅射
• 选配的先进工艺控制 (APC) 具有完全集成的高温和工艺气体监测
• 针对有机/模具基材的优化配置
• 带有MF等离子的ICP软刻蚀工艺腔，可增强的RF刻蚀，在低偏置电压下实现高刻蚀率和出色的均匀性。可使用H2,N2, CH4和O2反应气体
• 冷的金属腔 (Ice Dome) 和极低温卡盘温度可达-30°C，可在PI或PBO等有机晶圆刻蚀腔中最大程度延长套件的使用寿命
• 拥有44个插槽的大气下脱气装置，可对先进封装晶圆进行强力除气
• BMD批量模块也可用于该设备进行软磁薄膜镀膜

下载手册

下载配备单腔体 (SPM) 技术的CLUSTERLINE® 300的硬件和处理功能资料，请点击此处。

根据您的应用，该机台还可以配置1个BMD和最多3个单工艺腔 (SPM)。点击此处了解更多我们的BMD技术。

当您选择CLUSTERLINE® 300机台应用于先进封装，功率器件和光电领域，即选择了成熟的工艺标准。

了解相关典型案例或更多信息，请下载CLUSTERLINE® 系列手册或访问网站的新闻部分。在LAYERS杂志中，您可以阅读相关应用的信息，包括CMOS上的OLED和集成稳压器 (IVR) 直接组装在微处理器封装。