ウェーハレベルパッケージング、裏面メタライゼーション/極薄ウェーハ処理、およびオプトエレクトロニクスの選択されたアプリケーションには、CLUSTERLINE®300を選択してください。
装置特長
ウェーハレベルパッケージング、裏面メタライゼーション/極薄ウェーハ処理、およびオプトエレクトロニクスの選択されたアプリケーションには、CLUSTERLINE®300IIを選択してください。
- PVD、高イオン化PVD、およびソフトエッチング用の枚葉プロセスモジュールの統合
- 300μmまでの薄いウェーハおよび4mmまでの反りウェーハの搬送能力より薄いウェーハ用のキャリア搬送ソリューション
- 200 / 300mmブリッジまたはスプリットツールに準拠
- WLPアプリケーションで大量にガス放出する有機基板を処理するための新しい脱ガスおよびアーティックドームエッチング技術
- 300mmFOUPロードポートを備えたロードポートモジュールまたは200mm用のオープンカセット
- 回転事前調整（0.3°）およびウェーハのセンタリング（0.05mm）用のウェーハアライナー
- 3軸から5軸のSCARAロボットオプション
- 裏面メタライゼーション用のウェーハ反転ステーションと最大6枚のウェーハ用バッファステーション
- 最大6基のシングルプロセスモジュール（スパッタリングおよび蒸着モジュールが利用可能）、2つのバッチドラムモジュール（BMD）、またはそれらの混載
バッチプロセスモジュール(BMD)技術
- マイクロプロセッサパッケージ上で埋め込み電圧レギュレータを製造するなどのカスタムアプリケーションの場合、装置は最大2つの独自のバッチ処理モジュールで構成できるようになりました。 これらは、300mmでの軟磁性体の費用効果の高い成膜を可能にします。
- アプリケーションの要求に応じて、装置は一つのBMDと最大3つのシングルプロセスモジュール（SPM）で構成することもできます。
BMDテクノロジーの詳細については、ここをClickしてください
プラットフォーム
- デュアル左右対称アームを備えた磁気駆動ロボットシステム
- 極薄ウェーハ用の生産実績のあるウェーハ搬送およびプロセス処理能力
- 真空下での最も正確なウェーハ配置と自動ウェーハアライメント補正機能
- 最大6つの枚葉基板処理モジュール（SPM）、2つのバッチドラムモジュール（BMD）、または両モジュールの混載
プロセスモジュール/コンポーネント
- ICPソフトエッチングモジュール - SiO2除去レート、0.6〜0.8 nm /秒
- 高アスペクト比TSVアプリケーション用の高イオン化PVDソース - 主に3Dパッケージング用
- チャック温度をマイナス30°Cから500°Cまで制御可能
- メカニカルウェーハクランプ付きの金属製またはセラミック製チャック
- シャドウマスク付きESCまたはクランプレスチャック
- 最高の温度制御のためのホットまたはコールド静電チャック（ESC）
- 正確な温度制御ためのガス伝導裏側ヒーター/クーラーとチャックRFバイアスを備えたクランプチャック構成
- ターゲット寿命全体にわたって均一性が補償されたARQ310 DCまたはパルスDCによるスパッタリングソース
- 優れたパーティクル制御と均一性を提供するARQ320 RF、RF-DC、DCまたはパルスDCスパッタリングソース
- コストオブオーナーシップ（COO）を改善するための直接冷却を備えた長寿命ターゲット
- 回転チャックとマルチソース - 1つのモジュールに最大4つのRFまたはDCソースを備え、シングルまたはコスパッタ用
- 完全に組み込まれたパイロメーター（高温計）とプロセスガスモニターを備えたAPCオプション
- 有機/モールド基板用に最適化された構成
- 低バイアス電圧で高いエッチング速度と優れた均一性を実現するMFプラズマRFエッチングを備えたICPソフトエッチングプロセスモジュール。 H2、N2、CH4、O2による反応処理が可能
- 冷却された金属ケージ（アイスドーム）とマイナス30°Cまで冷却されるアークティックチャックにより、PIやPBOなどの有機ウェーハのエッチングモジュールでキット寿命を最大限に延ばすことができます。
- 大量にガス放出する先端パッケージング基板のための最大44スロットの大気バッチ脱ガスモジュール
- 300mmウェーハに軟磁性層を成膜するためのBMDバッチモジュールドラム
パンフレットをダウンロード
シングルプロセスモジュール（SPM）テクノロジーを搭載したCLUSTERLINE®300のハードウェアおよびプロセス機能に関するパンフレットをダウンロードするには、ここをClickしてください。
エバテックのバッチモジュールドラム（BMD）テクノロジーの機能の詳細については、ここをClickしてください。
先端パッケージング、パワーデバイス、オプトエレクトロニクスのさまざまなアプリケーションにCLUSTERLINE®300を選択すると、実績のあるプロセス機能が標準で提供されます。
典型的なアプリケーション例の詳細については、CLUSTERLINE®ファミリーのパンフレットをダウンロードするか、エバテックのWebサイトのニュースにアクセスしてください。 LAYERS内では、CMOS上のOLEDやマイクロプロセッサパッケージに埋め込まれた電圧レギュレータなどのアプリケーションについての記載があります。
ウェーハレベルパッケージング、裏面メタライゼーション/極薄ウェーハ処理、およびオプトエレクトロニクスの選択されたアプリケーションには、CLUSTERLINE®300を選択してください。
装置特長
ウェーハレベルパッケージング、裏面メタライゼーション/極薄ウェーハ処理、およびオプトエレクトロニクスの選択されたアプリケーションには、CLUSTERLINE®300IIを選択してください。
- PVD、高イオン化PVD、およびソフトエッチング用の枚葉プロセスモジュールの統合
- 300μmまでの薄いウェーハおよび4mmまでの反りウェーハの搬送能力より薄いウェーハ用のキャリア搬送ソリューション
- 200 / 300mmブリッジまたはスプリットツールに準拠
- WLPアプリケーションで大量にガス放出する有機基板を処理するための新しい脱ガスおよびアーティックドームエッチング技術
- 300mmFOUPロードポートを備えたロードポートモジュールまたは200mm用のオープンカセット
- 回転事前調整（0.3°）およびウェーハのセンタリング（0.05mm）用のウェーハアライナー
- 3軸から5軸のSCARAロボットオプション
- 裏面メタライゼーション用のウェーハ反転ステーションと最大6枚のウェーハ用バッファステーション
- 最大6基のシングルプロセスモジュール（スパッタリングおよび蒸着モジュールが利用可能）、2つのバッチドラムモジュール（BMD）、またはそれらの混載
バッチプロセスモジュール(BMD)技術
- マイクロプロセッサパッケージ上で埋め込み電圧レギュレータを製造するなどのカスタムアプリケーションの場合、装置は最大2つの独自のバッチ処理モジュールで構成できるようになりました。 これらは、300mmでの軟磁性体の費用効果の高い成膜を可能にします。
- アプリケーションの要求に応じて、装置は一つのBMDと最大3つのシングルプロセスモジュール（SPM）で構成することもできます。
BMDテクノロジーの詳細については、ここをClickしてください
プラットフォーム
- デュアル左右対称アームを備えた磁気駆動ロボットシステム
- 極薄ウェーハ用の生産実績のあるウェーハ搬送およびプロセス処理能力
- 真空下での最も正確なウェーハ配置と自動ウェーハアライメント補正機能
- 最大6つの枚葉基板処理モジュール（SPM）、2つのバッチドラムモジュール（BMD）、または両モジュールの混載
プロセスモジュール/コンポーネント
- ICPソフトエッチングモジュール - SiO2除去レート、0.6〜0.8 nm /秒
- 高アスペクト比TSVアプリケーション用の高イオン化PVDソース - 主に3Dパッケージング用
- チャック温度をマイナス30°Cから500°Cまで制御可能
- メカニカルウェーハクランプ付きの金属製またはセラミック製チャック
- シャドウマスク付きESCまたはクランプレスチャック
- 最高の温度制御のためのホットまたはコールド静電チャック（ESC）
- 正確な温度制御ためのガス伝導裏側ヒーター/クーラーとチャックRFバイアスを備えたクランプチャック構成
- ターゲット寿命全体にわたって均一性が補償されたARQ310 DCまたはパルスDCによるスパッタリングソース
- 優れたパーティクル制御と均一性を提供するARQ320 RF、RF-DC、DCまたはパルスDCスパッタリングソース
- コストオブオーナーシップ（COO）を改善するための直接冷却を備えた長寿命ターゲット
- 回転チャックとマルチソース - 1つのモジュールに最大4つのRFまたはDCソースを備え、シングルまたはコスパッタ用
- 完全に組み込まれたパイロメーター（高温計）とプロセスガスモニターを備えたAPCオプション
- 有機/モールド基板用に最適化された構成
- 低バイアス電圧で高いエッチング速度と優れた均一性を実現するMFプラズマRFエッチングを備えたICPソフトエッチングプロセスモジュール。 H2、N2、CH4、O2による反応処理が可能
- 冷却された金属ケージ（アイスドーム）とマイナス30°Cまで冷却されるアークティックチャックにより、PIやPBOなどの有機ウェーハのエッチングモジュールでキット寿命を最大限に延ばすことができます。
- 大量にガス放出する先端パッケージング基板のための最大44スロットの大気バッチ脱ガスモジュール
- 300mmウェーハに軟磁性層を成膜するためのBMDバッチモジュールドラム
パンフレットをダウンロード
シングルプロセスモジュール（SPM）テクノロジーを搭載したCLUSTERLINE®300のハードウェアおよびプロセス機能に関するパンフレットをダウンロードするには、ここをClickしてください。
エバテックのバッチモジュールドラム（BMD）テクノロジーの機能の詳細については、ここをClickしてください。
先端パッケージング、パワーデバイス、オプトエレクトロニクスのさまざまなアプリケーションにCLUSTERLINE®300を選択すると、実績のあるプロセス機能が標準で提供されます。
典型的なアプリケーション例の詳細については、CLUSTERLINE®ファミリーのパンフレットをダウンロードするか、エバテックのWebサイトのニュースにアクセスしてください。 LAYERS内では、CMOS上のOLEDやマイクロプロセッサパッケージに埋め込まれた電圧レギュレータなどのアプリケーションについての記載があります。