LAYERS 9 – 欢迎了解先进定向溅射技术（ADS）
物理气相沉积溅射技术长期以来一直是Evatec各业务领域的核心技术，以快速、均匀、经济的方式支持大批量薄膜沉积。然而，随着器件架构向更小几何尺寸、更紧凑间距及更复杂三维结构演进，传统溅射的局限性日益显现。在深沟槽或通孔等结构中，各向同性的粒子通量容易导致侧壁沉积过厚、空洞形成及底部覆盖不足，最终影响电气性能与可靠性。
为应对这些挑战，Evatec推出了先进定向溅射技术。这是一种下一代PVD技术，能够在基片表面实现近乎垂直入射的高定向材料通量。ADS采用准直溅射、离子化PVD及长行程溅射等技术，确保在高深宽比结构中实现优异的台阶覆盖、更好的保形性，并降低断连风险。
ADS可在CLUSTERLINE® 200和CLUSTERLINE® 300平台上使用，是Evatec全新前端工艺能力的重要基石。该技术支持高产能和低污染运行，并提供RF偏压、冷/热静电卡盘及先进挡板配置等选项。对于要求较低的结构，Evatec还提供标准定向溅射方案，其核心原理相同，但调谐功能较少，成本更具优势。主要工艺材料包括Ti/TiN、Ta/TaN和Cu，并可根据需要优化其他材料。
在多个行业中，定向溅射已成为下一代器件的重要使能技术。在功率分立器件中，ADS确保在深沟槽结构内形成连续的Ti/TiN阻挡层。在无线应用中，它支持GaAs基HBT和HEMT器件的保形金属化。在前端互连中，ADS可在接触孔、沟槽和双大马士革结构中实现无空洞的阻挡层和种子层。在先进封装中，ADS则为高深宽比TSV提供连续的Ti-Cu种子层覆盖，这对可靠的铜电镀至关重要。
随着设计规则不断缩小、性能要求日益提升，ADS提供了实现先进半导体器件一致、可靠金属化所需的定向控制能力。
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