CLUSTERLINE® 200
Cluster 200mm的架构
多种架构
CLUSTERLINE® 200的设备可以选择单腔体（SPM）或批量生产模块（BPM）进行单基板或批处理。无论您如何配置，都可以拥有Evatec 通过安全验证的全自动晶圆盒到晶圆盒 (Cassette-to-Cassette) 处理系统。对于特殊的应用，也可以进行单独腔体和批处理模块的组合。
单腔体SPM配置亮点
该机台在功率器件，先进封装，MEMS和无线通讯市场上有很大的市占率，可轻松进行配置组合并可在未来按需求做进一步的PVD，强离子PVD，PEALD 工艺模组, 轻刻蚀和PECVD腔体的增加，可以处理最大尺寸为200mm 的晶圆。
- 模块化卡盘设计，可在100，150或200mm 规格尺寸之间快速更换，以提高生产灵活性和设备最大利用率
- 最多6个单处理腔体模块和最多6个辅助模块用于预处理和工艺处理
- 辅助模块功能，包括晶圆对准，缓冲液，除气，冷却和ID读取器
- 薄晶圆安全传送和处理能力，厚度可低至70微米.
批量处理模块（BPM）配置亮点
可变化的机台结合了溅射批量生产和全自动传片功能来应对MEMS和Wireless和LED /微型显示器和光学行业等特定应用市场。额外的离子源的整合为增强镀膜工艺如间隙填充和表面平整度的质量提升提供了可能。
- 最多同时处理20 + 1个6英寸基板
- 最多同时处理15 + 1个8英寸基板
- 旋转基板台，带有用于单个旋转基板卡盘的选项
- 集成多达4个PVD溅射源和1个等离子体源
单腔体SPM主要包括
机台概览
- 符合人体工程学设计的两个盒式装载工作站，缓抽真空泵和缓排气口，晶圆图形布置功能可避免晶圆错槽放置或重复放置，对晶圆偏移的实时监测
- 带双对称臂的电磁驱动机械装置系统
工艺腔模块/组件
- 经过大规模生产验证的平面磁控溅射源 (RF＆DC)，靶材利用率高(旋转磁系统)或Flexicath™可满足极高的薄膜均匀性
- 适用于高深宽比TSV应用的高离子源溅射技术 - 主要应用3D封装
- PECVD工艺腔的PLASMABOX® 设计可提供出色的薄膜均匀性，并避免了不同真空状态所造成的污染并实时清洁。可得到极高的薄膜纯度以及出色的掺杂控制
- PEALD 工艺模组,联系我们了解更多
- 带有MF等离子增强RF刻蚀的ICP软刻蚀工艺模块，可在低偏置电压下实现高刻蚀速率和出色的均匀性。可用H2，N2和O2进行反应处理
- 低温金属腔 (Ice Dome) 和极低温吸盘温度可低至-30°C，对于PI或PBO等有机晶圆，可延长刻蚀腔中套件使用寿命
- 除气模块，快速调整晶圆状态，获取重复的工艺结果
- 静电（ESC）吸盘，使用气体传导的，无爪或有爪设计，可在PVD和带有卡盘RF偏置的轻刻蚀腔中主动对晶圆进行冷却或加热
- 具有旋转功能的多源靶材装置 - 可装4个混合DC和RF源，可实现单靶或多靶共溅射功能
- 卡盘（chuck）温度可控范围-30至800°C之间
- 针对磁性膜设计的磁性校准功能
- 可选的先进工艺控制（APC) 技术具有测量和工艺过程中气体实时监测功能
下载手册
下载配备单腔体（SPM）技术的CLUSTERLINE® 200的硬件和工艺处理功能资料，请点击此处。
机台概览
- 批量处理模块（BPM）以2个正面盒式装片站（Load lock）加上4面机台为标准配置
- 可同时处理多达20片的6"晶圆或15片的8"晶圆
- 轻刻蚀，加热和冷却功能可提高膜层质量和晶圆保护
- 集成的晶圆校准仪装置完全符合"半导体"标准
- 批量处理模块（BPM）集成了可旋转的晶圆台，可调节的靶材和晶圆的距离，客制化卡盘和卡夹设计。例如边缘抓夹设计，全晶圆溅射和高温加热（350°C）功能
- 上游或下游处理气体管控
- 晶圆直接载入或载片托盘方式可以快速切换，最大化实现设备的灵活性和利用率
- 晶圆翻转系统可实现双面镀膜且不需要破真空
- 靶材旋转技术可在光学涂层中提升速率和均匀性
先进工艺控制（APC）成为标准
根据应用和工艺，我们有可用的"原位"技术
- 电浆光谱分析监控 (PEM)，用于在反应氧化工艺中进行化学输出量的校准
- 宽光谱光学监控 (GSM) 具有实时再优化功能，可实现最准确的膜层终点和堆叠的光学性能的整体控制
下载手册
下载配备批量处理模块 (BPM) 的CLUSTERLINE® 200的硬件和处理功能资料，请点击此处。
选择CLUSTERLINE® 200，就是选择了规模产能。Evatec 的工艺和专业技术涵盖了高性能压电材料，磁性材料，金属和介电材料。
从LED生产中的透明导电氧化物 (TCO),布拉格反射膜 (DBR) 和GaN上的无等离子体损伤镀膜到用于3D成像和下一代智能手机的手势识别的单双面涂层的可重复性镀膜。CLUSTERLINE® 200机台具有成熟的薄膜叠层镀膜能力，可以精确控制应力，化学计量，折射率等参数。
了解更多信息，请下载手册或访问网站的新闻部分。
多种架构
CLUSTERLINE® 200的设备可以选择单腔体（SPM）或批量生产模块（BPM）进行单基板或批处理。无论您如何配置，都可以拥有Evatec 通过安全验证的全自动晶圆盒到晶圆盒 (Cassette-to-Cassette) 处理系统。对于特殊的应用，也可以进行单独腔体和批处理模块的组合。
单腔体SPM配置亮点
该机台在功率器件，先进封装，MEMS和无线通讯市场上有很大的市占率，可轻松进行配置组合并可在未来按需求做进一步的PVD，强离子PVD，PEALD 工艺模组, 轻刻蚀和PECVD腔体的增加，可以处理最大尺寸为200mm 的晶圆。
- 模块化卡盘设计，可在100，150或200mm 规格尺寸之间快速更换，以提高生产灵活性和设备最大利用率
- 最多6个单处理腔体模块和最多6个辅助模块用于预处理和工艺处理
- 辅助模块功能，包括晶圆对准，缓冲液，除气，冷却和ID读取器
- 薄晶圆安全传送和处理能力，厚度可低至70微米.
批量处理模块（BPM）配置亮点
可变化的机台结合了溅射批量生产和全自动传片功能来应对MEMS和Wireless和LED /微型显示器和光学行业等特定应用市场。额外的离子源的整合为增强镀膜工艺如间隙填充和表面平整度的质量提升提供了可能。
- 最多同时处理20 + 1个6英寸基板
- 最多同时处理15 + 1个8英寸基板
- 旋转基板台，带有用于单个旋转基板卡盘的选项
- 集成多达4个PVD溅射源和1个等离子体源
单腔体SPM主要包括
机台概览
- 符合人体工程学设计的两个盒式装载工作站，缓抽真空泵和缓排气口，晶圆图形布置功能可避免晶圆错槽放置或重复放置，对晶圆偏移的实时监测
- 带双对称臂的电磁驱动机械装置系统
工艺腔模块/组件
- 经过大规模生产验证的平面磁控溅射源 (RF＆DC)，靶材利用率高(旋转磁系统)或Flexicath™可满足极高的薄膜均匀性
- 适用于高深宽比TSV应用的高离子源溅射技术 - 主要应用3D封装
- PECVD工艺腔的PLASMABOX® 设计可提供出色的薄膜均匀性，并避免了不同真空状态所造成的污染并实时清洁。可得到极高的薄膜纯度以及出色的掺杂控制
- PEALD 工艺模组,联系我们了解更多
- 带有MF等离子增强RF刻蚀的ICP软刻蚀工艺模块，可在低偏置电压下实现高刻蚀速率和出色的均匀性。可用H2，N2和O2进行反应处理
- 低温金属腔 (Ice Dome) 和极低温吸盘温度可低至-30°C，对于PI或PBO等有机晶圆，可延长刻蚀腔中套件使用寿命
- 除气模块，快速调整晶圆状态，获取重复的工艺结果
- 静电（ESC）吸盘，使用气体传导的，无爪或有爪设计，可在PVD和带有卡盘RF偏置的轻刻蚀腔中主动对晶圆进行冷却或加热
- 具有旋转功能的多源靶材装置 - 可装4个混合DC和RF源，可实现单靶或多靶共溅射功能
- 卡盘（chuck）温度可控范围-30至800°C之间
- 针对磁性膜设计的磁性校准功能
- 可选的先进工艺控制（APC) 技术具有测量和工艺过程中气体实时监测功能
下载手册
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机台概览
- 批量处理模块（BPM）以2个正面盒式装片站（Load lock）加上4面机台为标准配置
- 可同时处理多达20片的6"晶圆或15片的8"晶圆
- 轻刻蚀，加热和冷却功能可提高膜层质量和晶圆保护
- 集成的晶圆校准仪装置完全符合"半导体"标准
- 批量处理模块（BPM）集成了可旋转的晶圆台，可调节的靶材和晶圆的距离，客制化卡盘和卡夹设计。例如边缘抓夹设计，全晶圆溅射和高温加热（350°C）功能
- 上游或下游处理气体管控
- 晶圆直接载入或载片托盘方式可以快速切换，最大化实现设备的灵活性和利用率
- 晶圆翻转系统可实现双面镀膜且不需要破真空
- 靶材旋转技术可在光学涂层中提升速率和均匀性
先进工艺控制（APC）成为标准
根据应用和工艺，我们有可用的"原位"技术
- 电浆光谱分析监控 (PEM)，用于在反应氧化工艺中进行化学输出量的校准
- 宽光谱光学监控 (GSM) 具有实时再优化功能，可实现最准确的膜层终点和堆叠的光学性能的整体控制
下载手册
下载配备批量处理模块 (BPM) 的CLUSTERLINE® 200的硬件和处理功能资料，请点击此处。
选择CLUSTERLINE® 200，就是选择了规模产能。Evatec 的工艺和专业技术涵盖了高性能压电材料，磁性材料，金属和介电材料。
从LED生产中的透明导电氧化物 (TCO),布拉格反射膜 (DBR) 和GaN上的无等离子体损伤镀膜到用于3D成像和下一代智能手机的手势识别的单双面涂层的可重复性镀膜。CLUSTERLINE® 200机台具有成熟的薄膜叠层镀膜能力，可以精确控制应力，化学计量，折射率等参数。
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