アーキテクチャの選択
CLUSTERLINE®200は、シングルプロセスモジュール（SPM）またはバッチプロセスモジュール（BPM）をそれぞれ使用して、枚葉基板処理またはバッチ処理用のツールとして構成できます。 装置をどのように構成しても、エバテックの実績のある安全な取り扱い技術を使用して、完全に自動化されたカセット間処理を行うことができます。 カスタムアプリケーションの場合は、シングルプロセスモジュールとバッチプロセスモジュールの両方を組み合わせた構成もお問い合わせください。
SPM構成の特長
パワーデバイス、先端パッケージング、MEMS、ワイヤレス市場で強力な血統を持つプラットフォームにより、PVD、高イオン化PVD、PEALD、ソフトエッチング、および最大200mmのウェーハサイズのPECVDからなる装置構成と将来の拡張が容易になります。
- 生産の柔軟性と最大の稼働率を導くための100、150、または200mm基板間の迅速な交換を可能とするモジュラーチャック設計
- 最大6つのシングルプロセスモジュールと前処理および後処理ステップ用の最大6つの補助モジュール
- ウェーハアライメント、バッファ、脱ガス、冷却、IDリーダーなどの補助モジュール機能
- 70ミクロンまでの厚さの極薄ウェーハの直接搬送およびプロセス処理能力
BPM構成の特長
MEMSおよびワイヤレスの特定のアプリケーション向けに、バッチによるスパッタリング処理の利点と完全に自動化された処理を組み合わせたプラットフォーム。LED /マイクロディスプレイおよびフォトニクス産業の真の牽引装置です。 プラズマ源を追加することで、ギャップ埋め込みや平坦化を含む成膜の改質など、強化された成膜プロセスの可能性を開きます。
- 最大20+1枚の6インチ基板を同時にバッチ処理
- 最大15+1枚の8インチ基板を同時にバッチ処理
- 個々の基板回転チャックのオプションを備えた基板回転テーブル
- 最大4つのPVDスパッタリングソースと1つのプラズマソースを搭載可能
主な要素は次のとおりです
プラットフォーム
- 2つのロードロックカセットステーション - 人間工学に基づいたローディング、ソフトポンプとソフトベント、クロススロットやダブルロードウェーハを検出するマッピング機能、インスタントウェーハスライドアウト（突出）検出
- デュアル双対称アームを備えた磁気駆動ロボットシステム
プロセスモジュール/コンポーネント
- 高いターゲット使用効率（回転磁界システム）または非常に高い膜の均一性の要求のためのFlexicath™を備えた、量産実績のある平面マグネトロンスパッタソース（RFおよびDC）
- •高アスペクト比TSVアプリケーション向けの高イオン化PVDソーステクノロジー - 主に3Dパッケージング用
- PECVDプロセスモジュールのPLASMABOX®設計は、卓越した均一性を提供し、差動排気とIn-Situクリーニングにより汚染を回避します。 このコンセプトにより、非常に高純度の膜と、優れた界面およびドーピングの制御が可能になります.
- PEALDプロセスモジュール .詳細は こちらをクリック して最寄りのエバテックへご連絡ください。
- MFプラズマRFエッチングを備えたICPソフトエッチングプロセスモジュールにより、低バイアス電圧で高いエッチング速度と優れた均一性が実現します。 H2、N2、O2による反応処理が可能
- 冷却された金属ケージ（アイスドーム）とマイナス30°Cまで冷却可能なチャックにより、PIやPBOなどの有機ウェーハのエッチングモジュールのキット寿命を最大限に延ばすことができます。
- 高速ウェーハコンディショニングと再現性のあるプロセスを得るための脱ガスモジュール
- チャックRFバイアスを備えたPVDおよびソフトエッチングモジュールでの、アクティブなウェーハ冷却または加熱のためのガス伝導を使用する静電（ESC）、クランプレスまたはクランプチャック
- 回転チャックとマルチソース - 1つのモジュールに最大4つのDCおよびRF混合ソースを搭載し、単一ターゲットまたは同時スパッタリングを実現
- チャック温度をマイナス30°Cから800°Cまで制御可能
- 磁性膜を配向させる磁気配向機能
- パイロメーター（高温計）とプロセスガスモニターを備えたAPCオプション
パンプレットをダウンロード
シングルプロセスモジュール（SPM）テクノロジーを搭載したCLUSTERLINE®200のハードウェアおよびプロセス機能に関するパンフレットをダウンロードするには、ここをクリッククリックしてください。
プラットフォームの概要
- フロントエンドのデュアルロードロックとBPMを搭載するための標準としての4面プラットフォーム
- 最大20枚の6インチ基板または15枚の8インチ基板を同時に処理
- 膜の品質を向上させたり、基板を保護したりするためのソフトエッチング、加熱、冷却機能
- ウェーハアライナの統合と互換性のある完全に「SEMI」規格に準拠したハンドラー
- バッチプロセスモジュールBPMは、ソースから基板までの距離が調整可能な回転する基板テーブルと、エッジ固定または全面成膜および350°Cまでの加熱可能なカスタマイズされたチャックとクランプの設計を搭載します。
- 上流または下流のプロセスガス制御
- 基板またはキャリアの直接搬送により、異なる基板間での迅速な交換を可能とし、柔軟性とツールの最大限の活用を実現します。
- バキュームブレークせず両面成膜可能とするフリップシステム
- 光干渉膜成膜時の高速性と均一性のための回転ターゲット技術
Advanced Process Control（APC）が標準装備されています
以下は、アプリケーションとプロセスに応じて利用できる「In-Situ」技術のほんの一部です。
- 反応性酸化物プロセスにおける正しい化学量論組成のためのプラズマ発光モニタリング（PEM）
- 最も正確な層のエンドポイント制御と光学積層膜の光性能の全体的な制御のためのそIn-Situでの再最適化を備えたブロードバンドオプティカルモニタリング（GSM）
パンフレットをダウンロード
バッチプロセスモジュール（BPM）テクノロジーを搭載したCLUSTERLINE®200のハードウェアおよびプロセス機能に関するパンフレットをダウンロードするには、ここをクリックしてください。
CLUSTERLINE®200を選択すると、実績のある生産能力が標準で提供されます。エバテックのプロセスとノウハウは、高性能圧電膜、磁性体膜、金属膜、誘電体膜などの材料を網羅しています。
LED製造における透明導電膜、DBR、およびGaN上のコンタクト向けのプラズマ損傷のない成膜から、次世代スマートフォン向けの3Dイメージングおよびジェスチャ認識用の片面や両面の再現性の高い成膜まで、CLUSTERLINE®200プラットフォームには、 応力、化学量論組成、屈折率などのパラメータを正確に制御する薄膜積層膜に対する実績のある能力が備わっています。
一般的なアプリケーション例の詳細については、パンフレットをダウンロードするか、エバテックのWebサイトのニュースにアクセスしてください。
アーキテクチャの選択
CLUSTERLINE®200は、シングルプロセスモジュール（SPM）またはバッチプロセスモジュール（BPM）をそれぞれ使用して、枚葉基板処理またはバッチ処理用のツールとして構成できます。 装置をどのように構成しても、エバテックの実績のある安全な取り扱い技術を使用して、完全に自動化されたカセット間処理を行うことができます。 カスタムアプリケーションの場合は、シングルプロセスモジュールとバッチプロセスモジュールの両方を組み合わせた構成もお問い合わせください。
SPM構成の特長
パワーデバイス、先端パッケージング、MEMS、ワイヤレス市場で強力な血統を持つプラットフォームにより、PVD、高イオン化PVD、PEALD、ソフトエッチング、および最大200mmのウェーハサイズのPECVDからなる装置構成と将来の拡張が容易になります。
- 生産の柔軟性と最大の稼働率を導くための100、150、または200mm基板間の迅速な交換を可能とするモジュラーチャック設計
- 最大6つのシングルプロセスモジュールと前処理および後処理ステップ用の最大6つの補助モジュール
- ウェーハアライメント、バッファ、脱ガス、冷却、IDリーダーなどの補助モジュール機能
- 70ミクロンまでの厚さの極薄ウェーハの直接搬送およびプロセス処理能力
BPM構成の特長
MEMSおよびワイヤレスの特定のアプリケーション向けに、バッチによるスパッタリング処理の利点と完全に自動化された処理を組み合わせたプラットフォーム。LED /マイクロディスプレイおよびフォトニクス産業の真の牽引装置です。 プラズマ源を追加することで、ギャップ埋め込みや平坦化を含む成膜の改質など、強化された成膜プロセスの可能性を開きます。
- 最大20+1枚の6インチ基板を同時にバッチ処理
- 最大15+1枚の8インチ基板を同時にバッチ処理
- 個々の基板回転チャックのオプションを備えた基板回転テーブル
- 最大4つのPVDスパッタリングソースと1つのプラズマソースを搭載可能
主な要素は次のとおりです
プラットフォーム
- 2つのロードロックカセットステーション - 人間工学に基づいたローディング、ソフトポンプとソフトベント、クロススロットやダブルロードウェーハを検出するマッピング機能、インスタントウェーハスライドアウト（突出）検出
- デュアル双対称アームを備えた磁気駆動ロボットシステム
プロセスモジュール/コンポーネント
- 高いターゲット使用効率（回転磁界システム）または非常に高い膜の均一性の要求のためのFlexicath™を備えた、量産実績のある平面マグネトロンスパッタソース（RFおよびDC）
- •高アスペクト比TSVアプリケーション向けの高イオン化PVDソーステクノロジー - 主に3Dパッケージング用
- PECVDプロセスモジュールのPLASMABOX®設計は、卓越した均一性を提供し、差動排気とIn-Situクリーニングにより汚染を回避します。 このコンセプトにより、非常に高純度の膜と、優れた界面およびドーピングの制御が可能になります.
- PEALDプロセスモジュール .詳細は こちらをクリック して最寄りのエバテックへご連絡ください。
- MFプラズマRFエッチングを備えたICPソフトエッチングプロセスモジュールにより、低バイアス電圧で高いエッチング速度と優れた均一性が実現します。 H2、N2、O2による反応処理が可能
- 冷却された金属ケージ（アイスドーム）とマイナス30°Cまで冷却可能なチャックにより、PIやPBOなどの有機ウェーハのエッチングモジュールのキット寿命を最大限に延ばすことができます。
- 高速ウェーハコンディショニングと再現性のあるプロセスを得るための脱ガスモジュール
- チャックRFバイアスを備えたPVDおよびソフトエッチングモジュールでの、アクティブなウェーハ冷却または加熱のためのガス伝導を使用する静電（ESC）、クランプレスまたはクランプチャック
- 回転チャックとマルチソース - 1つのモジュールに最大4つのDCおよびRF混合ソースを搭載し、単一ターゲットまたは同時スパッタリングを実現
- チャック温度をマイナス30°Cから800°Cまで制御可能
- 磁性膜を配向させる磁気配向機能
- パイロメーター（高温計）とプロセスガスモニターを備えたAPCオプション
パンプレットをダウンロード
シングルプロセスモジュール（SPM）テクノロジーを搭載したCLUSTERLINE®200のハードウェアおよびプロセス機能に関するパンフレットをダウンロードするには、ここをクリッククリックしてください。
プラットフォームの概要
- フロントエンドのデュアルロードロックとBPMを搭載するための標準としての4面プラットフォーム
- 最大20枚の6インチ基板または15枚の8インチ基板を同時に処理
- 膜の品質を向上させたり、基板を保護したりするためのソフトエッチング、加熱、冷却機能
- ウェーハアライナの統合と互換性のある完全に「SEMI」規格に準拠したハンドラー
- バッチプロセスモジュールBPMは、ソースから基板までの距離が調整可能な回転する基板テーブルと、エッジ固定または全面成膜および350°Cまでの加熱可能なカスタマイズされたチャックとクランプの設計を搭載します。
- 上流または下流のプロセスガス制御
- 基板またはキャリアの直接搬送により、異なる基板間での迅速な交換を可能とし、柔軟性とツールの最大限の活用を実現します。
- バキュームブレークせず両面成膜可能とするフリップシステム
- 光干渉膜成膜時の高速性と均一性のための回転ターゲット技術
Advanced Process Control（APC）が標準装備されています
以下は、アプリケーションとプロセスに応じて利用できる「In-Situ」技術のほんの一部です。
- 反応性酸化物プロセスにおける正しい化学量論組成のためのプラズマ発光モニタリング（PEM）
- 最も正確な層のエンドポイント制御と光学積層膜の光性能の全体的な制御のためのそIn-Situでの再最適化を備えたブロードバンドオプティカルモニタリング（GSM）
パンフレットをダウンロード
バッチプロセスモジュール（BPM）テクノロジーを搭載したCLUSTERLINE®200のハードウェアおよびプロセス機能に関するパンフレットをダウンロードするには、ここをクリックしてください。
CLUSTERLINE®200を選択すると、実績のある生産能力が標準で提供されます。エバテックのプロセスとノウハウは、高性能圧電膜、磁性体膜、金属膜、誘電体膜などの材料を網羅しています。
LED製造における透明導電膜、DBR、およびGaN上のコンタクト向けのプラズマ損傷のない成膜から、次世代スマートフォン向けの3Dイメージングおよびジェスチャ認識用の片面や両面の再現性の高い成膜まで、CLUSTERLINE®200プラットフォームには、 応力、化学量論組成、屈折率などのパラメータを正確に制御する薄膜積層膜に対する実績のある能力が備わっています。
一般的なアプリケーション例の詳細については、パンフレットをダウンロードするか、エバテックのWebサイトのニュースにアクセスしてください。