LAYERS 9 – の登場
PVD（Physical Vapor Deposition）スパッタリングは長年にわたりEvatec市場の中核技術として、高速・高均一・低コストな薄膜形成を支えてきました。しかし、デバイス構造が微細化・高密度化・3次元化するにつれ、従来型スパッタリングの限界が顕在化しています。トレンチや貫通ビアのような深い構造では、等方的粒子フラックスにより側壁への過剰堆積、ボイド形成、底部被覆不足が発生し、電気特性や信頼性へ影響を与えます。
これらの課題に対応するため、EvatecはAdvanced Directional Sputtering（ADS）を開発しました。ADSは、基板表面へほぼ垂直に入射する高指向性材料フラックスを実現する次世代PVD技術です。コリメートスパッタ、Ionized PVD（I-PVD）、ロングスロースパッタなどの技術を活用し、高アスペクト比構造において優れた段差被覆性、コンフォーマル性、欠陥低減を実現します。
ADSはCLUSTERLINE® 200およびCLUSTERLINE® 300プラットフォームで利用可能であり、Evatecの新しいフロントエンド技術の中核を担います。本技術は、高生産性かつ低コンタミ動作に対応し、RFバイアス、ホット／コールドESC、高度シャッター構成などのオプションも備えています。比較的要求の低い用途向けには、同じ基本原理を持ちながら調整機能を簡略化した低コスト版SDS（Standard Directional Sputtering）も提供しています。
対応材料にはTi/TiN、Ta/TaN、Cuなどが含まれ、用途に応じた追加材料最適化も可能です。
方向性スパッタは、さまざまな業界で次世代デバイス実現の重要技術となっています。パワーディスクリートでは、ADSが深いトレンチ内部への連続Ti/TiNバリア形成を実現します。無線用途では、GaAs系HBTやHEMT向けコンフォーマルメタライゼーションを支援します。フロントエンド配線では、コンタクトホール、トレンチ、デュアルダマシン構造内でボイドフリーなバリア層・シード層形成を可能にします。さらに先端パッケージングでは、高アスペクト比TSV内で連続したTi/Cuシード被覆を実現し、高信頼Cu電解めっきを支えます。
設計ルールがさらに微細化し性能要求が高まる中、ADSは最先端半導体に必要な安定かつ高信頼なメタライゼーションを実現するための重要な方向性制御技術となっています。
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