LAYERS 9 – 中国におけるSiCの未来を支える
シリコンカーバイド（SiC）MOSFETは、電気自動車、再生可能エネルギー、産業用途の需要拡大を背景に、次世代パワーエレクトロニクスの中核技術となっています。高耐圧、高温動作、高速スイッチング性能を実現できる一方で、量産拡大やウェハ大型化に伴い、メタライゼーションプロセスにはさらに高い要求が課されています。
Evatecは、SiCパワーデバイス向け先進メタライゼーションフローに対応するCLUSTERLINE® 200およびCLUSTERLINE® 300プラットフォームによって、これらの要求に応えています。モジュール型Single Process Moduleアーキテクチャにより、エッチング、Ti、NiまたはNiV、Ag、AlCu成膜など複数工程を単一プラットフォーム内へ統合可能です。この柔軟性により、裏面メタライゼーション、はんだ接合対応トップメタル、シリサイド形成、表面メタライゼーションなど、さまざまなプロセス構成を1台で実現できます。
特に裏面メタライゼーションでは、SiC基板特有の厚みと脆性に対応した慎重なウェハハンドリングが不可欠です。CLUSTERLINE®プラットフォームでは、スクラッチレス処理を実現する専用チャックコンセプトを採用し、安定した熱・機械条件を維持します。さらに、前処理、成膜、冷却、自動搬送モジュールの統合により、高スループットと安定したプロセス性能を支援しています。
また本プラットフォームは、高い生産性と優れたCoO（Cost of Ownership）性能も実現しています。カセットtoカセット自動搬送、低コンタミネーション、保守負荷低減により、大量生産環境での安定稼働を可能にします。新たに拡大する8インチSiC量産では、最大35 wafers/hourのスループットを達成可能です。
さらにEvatecは、ハードウェアだけでなく、ウェハ温度挙動やプロセス条件を事前シミュレーションできる解析機能も提供しています。主要SiC生産地域におけるローカルサービス・サポート体制と組み合わせることで、CLUSTERLINE®プラットフォームはSiCパワーデバイス量産拡大を支える強固な基盤を提供します。
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