功率器件

金属化和薄晶圆加工

 

受益于Evatec 在功率器件应用方面的长期经验,可以提高生产率,工艺稳定性和良率并降低生产成本。我们提供高速率溅射或蒸发台,可批量生产MOSFET, IGBT IGCT, LDMOS, SiCGaN功率器件。

在溅射技术中,CLUSTERLINE® 系列200mm 300mm 机台为厚的前端金属镀膜提供了高产量的应用。专用PVD工艺模块中的单晶片加工配备了高速率溅射源和无夹钳加热卡盘 (常规或静电卡盘 ESC),可进行先进的温度管理,确保严格的工艺控制和最佳的颗粒性能。结合集群机台体系结构的并行处理能力,CLUSTERLINE® 为许多苛刻的应用提供了最佳的工艺稳定性和最高的生产率。

Evatec 的BAK系列基于业界标准设计,其最先进的行星架传输和翻转系统,在单面和双面的工艺中,为正面的厚铝和背面的接触叠层蒸镀提供完美的解决方案。

 

应用于功率器件的EVATEC 机型 

Evatec 提供基于蒸镀和溅射两种技术的批量式,集群式或全自动连续性生产机台.

我们的专家将根据您的工艺要求,产能需求和工厂集成要求帮助您找到合适的机台。或者单击照片链接以了解有关每个机台的更多信息。

 

BAK系列

灵活的蒸发台提供行星式处理和翻转系统,可实现正面的厚铝或背面的接触叠层的单面和双面的工艺。

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CLUSTERLINE® 200

集群式机台架构,具有单晶圆处理功能,可在批量生产中对200mm 晶圆上的正面和背面金属进行全自动处理。

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CLUSTERLINE® 300

集群式机台架构,具有单晶片处理功能,可对批量生产的300mm 晶片上的正面和背面金属进行全自动处理。

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SOLARIS®

连续性生产解决方案,适用于成本敏感的正面厚金属工艺应用,选定的双面或背面金属工艺,最大晶圆尺寸可达8英寸。

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晶圆加工

对于薄晶圆上的BSMSiCGaN WBG技术等应用,成熟的CLUSTERLINE® 处理能力可实现安全,直接的薄晶圆处理,适用于200mm 以下至70微米的晶圆以及200/300mm Taiko晶圆至60微米进行无缺陷金属化工艺。

 

CLUSTERLINE® 200300提供背面工艺,用于用Ar/H2进行原位预刻蚀,原位退火,控制应力和温度管理以及形成高质量的欧姆接触,从而使晶片的翘曲或变形最小。

 

 

SIC和GaN宽带隙技术

对于硅上的SiC和GaN应用,Evatec 的机台产品组合提供了多种工艺技术,使高端镀膜工艺满足开发和批量生产要求严苛的新型器件。了解更多请联系我们。

 

受益于Evatec 在功率器件应用方面的长期经验,可以提高生产率,工艺稳定性和良率并降低生产成本。我们提供高速率溅射或蒸发台,可批量生产MOSFET, IGBT IGCT, LDMOS, SiCGaN功率器件。

在溅射技术中,CLUSTERLINE® 系列200mm 300mm 机台为厚的前端金属镀膜提供了高产量的应用。专用PVD工艺模块中的单晶片加工配备了高速率溅射源和无夹钳加热卡盘 (常规或静电卡盘 ESC),可进行先进的温度管理,确保严格的工艺控制和最佳的颗粒性能。结合集群机台体系结构的并行处理能力,CLUSTERLINE® 为许多苛刻的应用提供了最佳的工艺稳定性和最高的生产率。

Evatec 的BAK系列基于业界标准设计,其最先进的行星架传输和翻转系统,在单面和双面的工艺中,为正面的厚铝和背面的接触叠层蒸镀提供完美的解决方案。

 

应用于功率器件的EVATEC 机型 

Evatec 提供基于蒸镀和溅射两种技术的批量式,集群式或全自动连续性生产机台.

我们的专家将根据您的工艺要求,产能需求和工厂集成要求帮助您找到合适的机台。或者单击照片链接以了解有关每个机台的更多信息。

 

晶圆加工

对于薄晶圆上的BSMSiCGaN WBG技术等应用,成熟的CLUSTERLINE® 处理能力可实现安全,直接的薄晶圆处理,适用于200mm 以下至70微米的晶圆以及200/300mm Taiko晶圆至60微米进行无缺陷金属化工艺。

 

CLUSTERLINE® 200300提供背面工艺,用于用Ar/H2进行原位预刻蚀,原位退火,控制应力和温度管理以及形成高质量的欧姆接触,从而使晶片的翘曲或变形最小。

 

 

SIC和GaN宽带隙技术

对于硅上的SiC和GaN应用,Evatec 的机台产品组合提供了多种工艺技术,使高端镀膜工艺满足开发和批量生产要求严苛的新型器件。了解更多请联系我们。