SOLARIS® S151提供基础配置并着眼于未来多工艺的可扩展性。最大基片尺寸可达8英寸，可靠的量产性以及可扩展性优化了机台利用率和成本。

SOLARIS® S151适合功率器件，光电及光学等领域。

SOLARIS® S151可配置6个独立的腔体，分别用于RTP, PVD, 刻蚀或CVD等工艺。直接基板或载台传输控制使工艺变化更加灵活，即使是小批量生产也不会降低工艺质量。

机台亮点：

• 不同基板尺寸快速切换的载台系统
• 载台自动上片下片
• 占地空间小，运营成本低
• 灵活配置 - 单腔之间隔离
• 多材料候选 - 单腔的靶材和工艺配置独立
• 多源共溅射 - 最多允许4种不同金属同时镀膜形成合金
• 溅射时基板自转 - 不均匀性＜±2%
• 有效镀膜区域直径可达225mm
• 薄膜退火最高温度可达550°C
• 基板表面离子清洗和活化
• 易于集成到已有的工厂自动化中
• 靶材和护板更换不超过30分钟

从增强现实，到光伏太阳能，再到功率器件，SOLARIS® S151为众多材料镀膜提供了高速且良好的重复性。

可选的工艺包含大面积直流 (DC) 镀膜、直流脉冲 (DC Pulsed) 反应镀膜、自带冷却的射频 (RF) 镀膜或蚀刻，最高温度可达550°C的RTP，单腔最多4种材料共溅射的阴极。所有的工艺模块都是独立运行、相互隔离、按需定制的。

• 电介质:SiN-H,SiN,SiO2,Al2O3,SiC
• 金属氧化物:NbO2,TiO2,Ta2O5
• 透明导电氧化物膜:ITO,GZO,Zn:AlO
• 金属膜:Al,NiV,Ag,AuGe
• 多材料共溅射形成的合金
• 整个载台镀膜区域不均匀性 <±2%

了解更多SOLARIS® 性能请下载产品手册，或翻阅Evatec LAYERS 杂志，或联系本地销售和服务团队。