LAYERS 9 – 赋能中国SiC未来

碳化硅MOSFET正在下一代功率电子器件中扮演关键角色，其需求主要来自电动汽车、可再生能源系统和工业应用。SiC器件在更高电压、更高温度和更快开关频率下的工作能力，对金属化工艺提出了更高要求，尤其是在制造商扩大生产规模并转向更大尺寸晶圆的背景下。

Evatec通过CLUSTERLINE® 200和CLUSTERLINE® 300平台满足这些需求。这两个平台专为支持SiC功率器件的先进金属化流程而设计。模块化的单工艺模块架构允许在同一平台上集成多个工艺步骤，包括刻蚀、钛、镍或镍钒、银及铝铜沉积。这种灵活性使得不同的金属化方案（如背面金属化、可焊顶层金属化、硅化物形成及正面金属化）可在同一台设备上实现。

特别是在背面金属化过程中，由于SiC衬底的厚度和脆性，精细的晶圆处理至关重要。CLUSTERLINE®平台采用专用卡盘设计，可在保持稳定热机械条件的同时实现无划痕加工。集成化的预处理、沉积、冷却和自动化模块进一步确保了稳定的工艺性能和高产能。

这些平台还具备显著的产能和成本优势。Cassette-to-cassette自动化、低污染水平和减少的维护需求，确保了在大批量制造环境中的稳定运行。在前沿的8英寸SiC生产中，可实现高达35片/小时的产能。

为支持工艺开发和风险降低，Evatec还提供仿真能力，帮助客户提前模拟晶圆温度行为和工艺条件。结合在主要SiC制造区域的本地服务与支持，CLUSTERLINE®平台为SiC功率器件生产的规模化提供了坚实的基础。

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