PECVD技术

PLASMABOX®技术可在低工艺温度下提供高质量镀膜

 

经过生产验证的PLASMABOX® 概念意味着我们可以改善特殊应用的薄膜性能,减少不同真空状态造成的污染并原位清洁。借助压差和较低温的外腔壁,我们可以避免腔体除气杂质,改善薄膜质量。与其他的PECVD或CVD系统相比,我们的PECVD工艺的运行温度较低,这带来了很多优势:

  • 概念灵活,可定制化
  • 模组化的卡盘设计,可快速切换衬底尺寸

  • 极高的薄膜纯度,优于标准平行板设计

  • 出色的膜厚均匀性-8英寸以上为1.5% (1 sigma) 和膜层特性
  • 用六氟化硫(SF6)或其他气体进行原位清洁
  • 双真空计(工艺/清洁压力调整能力(张应力/压应力)
  • 折射率可调
  • 具有高击穿电压的无针孔 (pinhole free) 薄膜

 

了解我们的专业知识和机台的更多信息,请点击各个页面或点击此处与我们联系。

 

Evatec PLASMABOX®工艺技术,知道如何使用包括NH3,SiH4,H2,Ar,He,N2O,N2,SF6,O2,N2和SiF4的工艺气体对包括SiO2,SiN,SiOxNy,SiOF,α-Si进行镀膜。

 

 

点击此处查看PLASMABOX®的剖面图

PECVD机台

Evatec 成熟的CLUSTERLINE® 200机台上可以使用配置PLASMABOX®的PECVD技术。

我们的专家将随时为您提供服务,如果您有任何疑问,请与我们联系。或者,点击照片链接了解更多信息。

CLUSTERLINE® 200

半导体行业的标准集群式Cluster机台,用于200mm 单基板工艺,集成感应式耦合等离子技术ICP刻蚀,PVD和PECVD的模组。

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经过生产验证的PLASMABOX® 概念意味着我们可以改善特殊应用的薄膜性能,减少不同真空状态造成的污染并原位清洁。借助压差和较低温的外腔壁,我们可以避免腔体除气杂质,改善薄膜质量。与其他的PECVD或CVD系统相比,我们的PECVD工艺的运行温度较低,这带来了很多优势:

  • 概念灵活,可定制化
  • 模组化的卡盘设计,可快速切换衬底尺寸

  • 极高的薄膜纯度,优于标准平行板设计

  • 出色的膜厚均匀性-8英寸以上为1.5% (1 sigma) 和膜层特性
  • 用六氟化硫(SF6)或其他气体进行原位清洁
  • 双真空计(工艺/清洁压力调整能力(张应力/压应力)
  • 折射率可调
  • 具有高击穿电压的无针孔 (pinhole free) 薄膜

 

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Evatec PLASMABOX®工艺技术,知道如何使用包括NH3,SiH4,H2,Ar,He,N2O,N2,SF6,O2,N2和SiF4的工艺气体对包括SiO2,SiN,SiOxNy,SiOF,α-Si进行镀膜。

 

 

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PECVD机台

Evatec 成熟的CLUSTERLINE® 200机台上可以使用配置PLASMABOX®的PECVD技术。

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