无线通信器件
RF 滤波器技术中的蒸发或者溅射技术专家
市场上 80% 的移动设备都装有 Evatec 产品
BAW 滤波器薄膜解决方案
- 成熟的性能 - 150 个PVD工艺腔模块在世界各地全天候运行
- 种子层、AlScN 和金属电极工艺
薄膜声表面波技术
- 声介质溅射（如 SiO2、AlN 或 Ta2O5）
- IDT 电极的蒸发和溅射
射频功率器件
- 高达 5:1 AR 的沟槽共形涂层
- 氮化铝和氮化镓外延溅射
降低拥有成本(CoO)
- 安全的 "晶圆盒到盒 "处理
- 提高蒸发和溅射的产量
了解 Evatec 在无线领域的优势
从高性能 RF 滤波器（无论是低频还是6G无线器件），Evatec的一众蒸发和溅射平台广泛支持无线通讯应用的薄膜工艺。我们可满足声表面波器件温度补偿中使用的沟槽填充和平面化工艺。我们的蒸发工艺专家可以就 IDT 的“光刻胶剥离”、HBT 和p-HEMT的金属化提供最佳制造平台和工艺建议。Evatec 的压电专家可以帮助您配置溅射沉积解决方案，用于高性能功能材料，例如用于 RF 滤波器技术的 Al(1-x)ScxN（x > 36 at.%）。
我们确保同级别中优秀的厚度和应力均匀性，以实现最大200 毫米的晶圆尺寸的高产能和良率。
BAW滤波器和SAW滤波器
我们的蒸发或溅射薄膜工艺可以支持用于无线通讯的低损耗 RF 滤波器。我们的 BAK 可以定制配置为分腔式增长源基距系统，专为“光刻胶剥离”所优化，配置手动、半自动或全自动装载处理，而我们 CLUSTERLINE® 200 晶圆盒式制造工艺消除了手动操作，并能够沉积 AlN 和 AlScN 等压电材料，具有高度的晶体取向和可控的应力分布，适用于谐振器件、反射器件和电极层。我们领先的外延种子层解决方案通过显著改善电极的晶体结构、粗糙度和电导率，将电极和压电层性能提升到一个新的水平。
金属化工艺
Evatec 的蒸发平台专为大规模生产进行优化，具有高性能的工艺能力，使用 Unicalc 等专有软件可减少贵金属消耗。具有增长源基距的系统非常适合“光刻胶剥离”的立体形貌，可确保后续薄膜图形化的零侧壁覆盖。从手动到半自动，再到全自动晶圆处理，我们提供一系列解决方案，从最大灵活性到最高吞吐量、最低拥有成本和最高能源效率。
CLUSTERLINE® 200 的配置选项包括传统的单片或批量处理，可同时处理不同晶圆尺寸和工艺，从而最大限度地提高工具利用率
量产型机台
Evatec 无线通讯市场产品一览
根据您的晶圆、工艺要求、产量和工厂集成需求从 Evatec 的平台中进行选择。
我们的专家可帮助您找到适合您规格的正确平台。或者，单击照片链接详细了解每个平台。
BAK 系列
经过生产验证的蒸发台系列，提供单腔到全自动多腔配置，包括配备兼容天车的预抽真空传输腔。选择标准源基距，或为“剥离”工艺优化的增长源基距，最大处理晶圆可达 8 英寸；同时提高产量，通过减少贵金属消耗和避免手动上料降低碎片成本。
CLUSTERLINE® 200
12 英寸晶圆盒到盒式集群式设备符合半导体行业传输和跟踪标准，配备用于蚀刻、PVD、PECVD和PEALD的单片工艺模块。可实现精确的单片基板处理。
在我们的《LAYERS》杂志上阅读更多有关无线的信息
BAW 技术
Evatec 展示了用于压电层和电极沉积的最新薄膜工艺如何帮助客户保持 BAW 滤波器技术的领先性能。
Multi BAK
三年前，Evatec 推出了 Multi BAK，通过多达 4 个 BAK 室提高了工艺的可重复性和产量。最近的发展为无线、电源和光电子应用提供了更多的生产选择。
BAK 941 - 让卓越更卓越
2017 年，我们推出了 BAK 1401，每批可处理 24 个晶圆。BAK 1401 SC（分室）系统的吞吐量提高了 10-20%，工艺可重复性得到改善。了解我们如何使这些系统更加出色。