Evatec 在功率器件应用领域的长期经验可帮助您优化生产率、确保工艺稳定性并提高产量,从而降低生产成本。我们为 IGBT 和 MOSFET 等功率晶体管、二极管、整流器和晶闸管的大批量生产提供量身定制的溅射和蒸发台。
在我们的溅射技术产品组合中,Evatec 的 CLUSTERLINE® 系列包括专为高产量应用定制的 200 毫米和 300 毫米设备。我们的单晶片处理模块具有高速溅射源和先进的温度管理功能,可确保精确的工艺控制和卓越的颗粒性能。CLUSTERLINE® 的集群设备结构显著提高了工艺稳定性和生产率,非常适合要求苛刻的应用。
对于减薄晶圆背面金属化 (BSM) 等制程,我们的 CLUSTERLINE® 平台能够直接、安全地处理薄至 70 微米的 200 毫米晶圆和薄至 60 微米的 200/300 毫米 Taiko 晶圆,确保无缺陷金属化制程。CLUSTERLINE® 200 和 300 提供背面工艺,包括使用 Ar/H2 的原位预蚀刻、原位退火、应力和温度管理,以及高质量的欧姆接触形成,将晶片弯曲或翘曲降至最低。
在硅或碳化硅新功率器件技术中,正面接触形成的趋势要求采用要求更高的薄膜工艺。Evatec 的 CLUSTERLINE® 200 可为深宽比为 3:1 或更高的沟槽/孔提供足够的侧壁和底部覆盖率,而不会显著增加整体薄膜厚度。
我们的蒸发解决方案基于以灵活性和可靠性著称的行业标准 BAK 系列。这些平台采用行星式处理和翻转系统,在单面或双面工艺中沉积厚的正面铝膜或背面电极叠层方面表现出色。
对于碳化硅 (SiC) 和硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 应用,Evatec 的设备组合提供多种工艺技术,以支持高端沉积工艺,适用于高要求新型器件的开发和量产。除了正面和背面金属沉积工艺外,我们还在碳化硅 (SiC) 表面提供溅射非晶碳保护层,以缓解离子注入后高温退火造成的晶圆粗糙度。
联系我们,了解更多关于碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 宽禁带 (WBG) 技术解决方案的信息,包括薄晶圆和键合晶圆的加工。
我们提供种类繁多的蒸发和溅射技术,涵盖批量、集群或全自动在线平台,以满足您的各种需求。点击图片链接,了解更多关于每个机台的信息,然后联系我们的专家,我们将根据您的具体工艺要求、产量需求和工厂集成标准,协助您选择合适的机台。
灵活的蒸发台,提供行星式搬运和翻转系统,用于在单面或双面工艺中沉积厚正面铝或背面接触叠层。
集群平台架构,可进行单晶圆处理,并可在批量生产中完全自动化处理 150 毫米或 200 毫米晶圆的正面和背面金属。
集群平台架构,可进行单晶圆处理,并可在批量生产中完全自动化处理 300 毫米晶圆的正面和背面金属。
针对成本敏感型应用的在线生产解决方案,适用于厚正面金属、特定双面或背面金属工艺,晶圆尺寸最大可达 8 英寸。
随着市场经济形势日益严峻,了解 HEXAGON 如何在工艺规格允许的指定背面金属化应用中,帮助您实现产量翻倍,具体性能请和我们取得联系。
垂直批量溅射平台,拥有悠久的市场历史,尤其适用于金属沉积,可确保最低的拥有成本。
在硅或碳化硅新型功率器件技术中,正面接触形成的趋势要求采用更严苛的薄膜工艺。
了解为什么 Evatec 的 CLUSTERLINE® 300 是满足不断增长的 300mm 加工需求的理想机台。
专家介绍了从液态 Ga 靶件进行溅射的工作。