工艺与镀膜技术

每个模块独立运行，确保在24/7全天候生产中获得可重复的工艺结果。

• PVD：DC、DC反应式或RF溅射，配备腔室与挡板冷却
• 刻蚀/活化：表面预清洗或等离子体处理
• RTP：在线式退火，最高温度400°C
• 多靶溅射：每个腔室最多4个阴极
• 基板旋转，均匀性＜±2~3%（取决于具体工艺）
• 典型材料：SiN、SiO₂、Al₂O₃、ITO、TiO₂、Al、NiV、Ag、AuGe、Zn:AlO以及通过MSQ多靶溅射实现的合金

配备旋转阴极源（RSQ 250）的3D镀膜能力

SOLARIS® S151 工艺腔室可配备 RSQ 250 旋转圆柱磁控管溅射源。
每个溅射模块配备两个旋转阴极，能够在具有台阶结构或立体结构的基板上实现均匀的3D薄膜沉积。
圆柱靶材的持续旋转确保了优异的膜厚均匀性、卓越的靶材利用率（>85%），并最大限度减少颗粒产生或电弧放电。

配合旋转基板升降机构和精确的气流控制，该系统即使在复杂的3D立体几何表面也能实现高质量的镀膜。
维护简便，阴极组件采用快拆设计，可向后拉出并倾斜90°，实现快速靶材更换。
可选配 ARG 151 + RSQ 250 腔室，增加原位辉光放电预清洗功能，进一步提高附着力和工艺稳定性。

模块化与可升级性

• 可随时更换或增加阴极（PVD/刻蚀/RTP）
• 可处理最大200 mm基板或小批量载具
• 靶材及挡板更换时间≤30分钟
• 各腔室独立运行，实现多层镀膜的灵活性

典型应用

• 功率器件 – 金属化及退火
• 光电子学与光子学 – 介质膜和反射镀层
• 触摸屏 – ITO、金属和TCO（透明导电氧化物）层
• 光伏 – 背电极及透明导电镀层
• 热电 – 多层金属及氧化物叠层
• 3D组件 – 使用RSQ 250旋转阴极源在台阶或立体结构表面实现均匀镀膜