SOLARIS® S380
15インチ向けのインラインアーキテクチャー
SOLARIS® S380
「インライン」型SOLARIS® S380は、装置構成が容易で、複数のプロセスや基板サイズに対応し、将来の拡張性も備えています。対角15インチまでのキャリアを取り扱えます。実証済みの量産性能と容易なサイズ切り替えにより、優れた設備利用率とCoO（所有コスト）を実現します。
チップスケールEMIシールドやタッチパネルなどの各種量産プロセスにはSOLARIS® S380をお選びください。
S380 クイックガイド
各セクションをクリックすると主要コンポーネントと機能のクイックガイドが表示されます。詳細は以下をご覧ください。
真空系
- ターボ分子ポンプとドライロータリーポンプの組み合わせ
- 到達圧力：10⁻⁷ mbar台前半
- 各プロセスチャンバーに個別ポンプを装備
- 処理中は完全に真空分離
- チャンバー間の基板搬送時のクロスオーバーを最小化
PVD シングルソース
- DC、反応性DC、または13.56 MHz RFスパッタソースを使用可能
- 対角380 mmまでの基板に高均一成膜を行う大面積シングルターゲットソース
- ターゲット交換時にチャンバーを個別ベント可能
PVD 3D ソース
- 3次元コーティング用途向けに設計
- DCおよび反応性DC成膜プロセスに対応
- 最大95 × 190 mmの基板（長方形）に対応
エッチングソース
- 金属および／または酸化物のハードエッチング
- オプションのグロー放電クリーニングステーション
- 基板表面の有機残渣を除去
- 表面活性化により密着性を向上
冷却ソース
- 加熱された基板を急速冷却
- 専用の個別チャンバー内で実施
- 基板が規定温度上限を超えることを防止
RTPソース
- 個別チャンバー内で基板を急速加熱
- 最大400 °Cまで加熱可能
- コーティング工程前に基板を前処理
プロセスチャンバー
最大5つのプロセスチャンバーを以下の仕様で構成可能：
- 処理中に基板を連続回転させ、基板全体で優れた角度方向の均一性を確保
- 迅速なターゲット交換のため、チャンバーを個別ベント可能
基板管理
- 特定の基板形状に対応する専用基板キャリア
- あらゆる形状の基板に対応
- 最大基板厚：4 mm
PVD マルチソース
- 異種材料の同時スパッタリングによる材料設計が可能
- DC、反応性DC、または13.56 MHz RFスパッタソースを使用可能
- チャンバー当たり最大4つの個別ソースを任意に組み合わせ可能
システムコンセプトとアーキテクチャ
SOLARIS® S380は、最大15インチの大型基板の大量生産向けに最適化されています。
高いスループットと優れた均一性を実現し、EMIシールド、ディスプレイ用途、大面積導電膜に最適です。
- 同期式キャリアインデクサーによるインライン基板搬送
- 最大5つのプロセスステーション、合計6つのチャンバーモジュール（ロード／アンロードを含む）
- PVD、エッチング、RTP用の独立したプロセスモジュール
- 装置設計にキャリアのロード／アンロード機構を統合
- キャリア交換により、多様な基板フォーマットへ迅速にサイズ切り替え
プロセスおよびコーティング技術
各モジュールは独立して動作し、24時間365日の生産で再現性の高い結果を確保します。
- PVD：チャンバーおよびシールド冷却を備えたDC、反応性DC、またはRFスパッタリング
- エッチング／活性化：プリクリーニングまたはプラズマ表面処理
- RTP：最大400 °Cのインラインアニール
- マルチソーススパッタリング：チャンバー当たり最大4カソード
- 基板回転により均一性を±2～3%未満に制御（材料／プロセスによる）
- 代表的な材料：SiN、SiO₂、Al₂O₃、ITO、TiO₂、Al、NiV、Ag、AuGe、Zn:AlO、およびMSQマルチソースによる合金
- Penta Plusカソード技術により、EMIシールド用途で優れた段差被覆性とターゲット交換時間の短縮を実現
モジュール性とアップグレード性
- PVD、エッチング、RTPのプロセスモジュールを追加または交換可能
- 対角380 mmまでの基板またはキャリアに対応
- ターゲットおよびシールド交換：60分以内
- チャンバーの独立動作により、多層膜構成へ柔軟に対応
代表的な用途
- EMIシールド：EvatecのPenta Plusカソード技術を用いたウエハーレベルおよびパネルレベルのコーティングにより、優れた段差被覆性と膜均一性を実現
- タッチパネル／ディスプレイ：大面積透明導電膜（TCO／ITO）
- 太陽電池：高効率セル向け透明膜および金属膜
- オプトエレクトロニクス：多層誘電体膜
- パワーデバイス：厚膜金属成膜およびコンタクト形成