「インライン」SOLARIS®S380は、簡単な装置構成であり、複数のプロセスおよび基板サイズ対応等の将来の拡張性を提供します。対角15インチまでの基板に対応します。実証済みの生産性能と簡単なサイズ変換により、優れた使用率とコストオブオーナシップが実現します。

チップスケールのEMIシールドやタッチパネルなどの選択された量産プロセスにはSOLARIS®S380を選択してください。

SOLARIS®S380は、最大5つのプロセスステーションで、スパッタリング、加熱/アニーリング、CVD技術を提供します。

装置特長

　 •　キャリアシステムによる、ある特定の基板サイズから別の基板サイズへの迅速な変更

　•　メカ的設計の一要素となるキャリアのロード/アンロード

　•　フットプリントが小さく、運用コストが低い

　•　柔軟な構成が可能　-　各プロセスステーションは他のプロセスステーションから分離されています

　•　多層成膜機能　–　各チャンバーは異なるプロセスを実行し、異なる材料を成膜させることができます

　•　マルチソーススパッタリング　–　最大4つの異なる材料による合金開発

　•　スパッタリング中の基板の回転により、±2％以下の優れた膜の均一性が保証されます

　•　直径380mmまでの成膜領域

　•　ヒーターによる最大550°Cまでの膜アニーリング

　•　エッチングによる表面の洗浄と活性化

　•　ファブオートメーションへの簡単な統合

　•　ターゲットとシールド変更の合計ダウンタイムが最大 60分

拡張現実から太陽光発電やパワーデバイスのアプリケーションまで、SOLARIS®S151は、あらゆる種類の材料の成膜に高速再現性を提供します。

冷却、エッチング、最大550℃のRTP機能、または単一のプロセスステーションで最大4つのスパッタリングカソード用のエバテックのマルチソース機能、またはパリレンのような素材の蒸着のためのカスタムソース機能とともに、大面積向けシングルDC、反応性DC、RFスパッタンリングから選択してください。

すべてのプロセスモジュールは、隔離され、独立的に実施され、アプリケーションに応じて構成されます。

•誘電体膜：SiN-H、SiN、SiO2、Al2O3、SiC

•金属酸化物膜：NbO2、TiO2、Ta2O5

•TCO：ITO、GZO、Zn：AlO

•金属スタック：Al、NiV、Ag、AuGe

•MSQマルチソースを備えた合金

•成膜均一性はキャリア全体で±2％以下

エバテックの「Penta Plus」カソードなどの追加のカスタムソーステクノロジーは、EMIシールドなどのアプリケーションで正確なステップカバレッジソリューションを提供します。

SOLARIS®機能の詳細については、パンフレットをダウンロードするか、エバテックのLAYERSマガジンに掲載されている記事をご覧になるか、最寄りのセールスおよびサービス組織にお問い合わせください。