プロセスおよび成膜技術

各モジュールは独立して動作し、24時間365日の生産で再現性の高い結果を確保します。

• PVD：チャンバーおよびシールド冷却を備えたDC、反応性DC、またはRFスパッタリング
• エッチング／活性化：表面プリクリーニングまたはプラズマ処理
• RTP：最大400 °Cのインラインアニール
• マルチソーススパッタリング：チャンバー当たり最大4カソード
• 基板回転により均一性を±2～3%未満に制御（プロセスによる）
• 代表的な材料：SiN、SiO₂、Al₂O₃、ITO、TiO₂、Al、NiV、Ag、AuGe、Zn:AlO、およびMSQマルチソースによる合金

ロータリーソース（RSQ 250）による3D成膜機能

SOLARIS® S151のプロセスチャンバーには、RSQ 250回転円筒マグネトロンソースを搭載できます。
各スパッタモジュールは2本のロータリーカソードを備え、構造化基板や段差基板への均一な3D成膜を実現します。
円筒ターゲットの連続回転により、優れた膜厚均一性、85%を超える高いターゲット利用率、ならびにパーティクル発生やアークの最小化を実現します。

回転式基板リフトと精密なガス流量制御を組み合わせることで、複雑な3D形状でも高品質なコーティングを実現します。
メンテナンスは、後方へ引き出して90°傾けられるクイックアクセス式カソードアセンブリにより簡素化され、ターゲットを迅速に交換できます。
オプションのARG 151 + RSQ 250チャンバーでは、密着性とプロセス安定性を高めるインサイチュ・グロー放電プリクリーニングを追加できます。

モジュール性とアップグレード性

• カソード（PVD／エッチング／RTP）をいつでも交換または追加可能
• 最大200 mmの基板またはミニバッチキャリアに対応
• ターゲットおよびシールド交換：30分以内
• チャンバーの独立動作により、多層膜構成へ柔軟に対応

代表的な用途

• パワーデバイス：メタライゼーションおよびアニール
• オプトエレクトロニクス／フォトニクス：誘電体膜および反射膜
• タッチパネル：ITO、金属、TCO層
• 太陽電池：裏面膜および透明導電膜
• 熱電デバイス：金属・酸化物の多層積層膜
• 3D部品：RSQ 250ロータリーソースを用いた段差面・構造面への均一コーティング