SAL在 PEALD 技术上的合作使下一代射频前端 (RFFE) 器件更进一步

未来 4 年内，在SAL的 CHIP2SYS 计划下开展的三方合作，将重点开发 AlScN 压电层沉积前所需的 AlN 和 InGaN 种子层的沉积和退火工艺，并利用 PEALD 的独特能力以原子精度沉积高质量的薄膜层。SAL将领导整个项目，包括在其位于 Villach 现有的研发设施中使用 PEALD 和 PVD 沉积薄膜层。Evatec 将通过硬件开发为项目提供支持，而 RF360 则将对所有工艺进行基准测试，并评估是否适合批量生产。.

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