LAYERS 8- 研究从液态镓溅射氮化镓

来自弗劳恩霍夫应用固体物理研究所（IAF）的 Philipp Doering 博士和 Evatec 高级科学家 Thomas Tschirky 讨论了他们对从液态 Ga 源进行溅射的研究。他们展示了在低工艺温度下制备具有高掺杂浓度和低电阻率的 n 型掺杂氮化镓薄膜。该研究探讨了影响电子迁移率的载流子散射机制，并强调了溅射工艺在大规模、低工艺温度生产 n 型氮化镓方面的潜力。

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