Evatec Market Segment Wireless

无线通讯

无线通讯技术的薄膜生产机台和工艺

 

从最新的高性能射频RF到5G无线设备更广泛的发展,我们的蒸镀和溅射机台支持应用于无线通讯的一系列薄膜工艺。我们提供用于IDT结构温度补偿所需的间隙填充和平面化的溅射工艺和机台。我们的蒸镀工艺专家为HBT和p-HEMT制造中的Lift off金属化提供机台和工艺,而我们的压电专家则为射频RF滤波器件技术提供诸如AlScN的高性能压电体的溅射镀膜。 

我们的机台和工艺可确保达到一流的厚度和应力均匀性,在最大200mm 的晶圆上实现高产量。

应用于无线通讯的EVATEC 机型

根据您的工艺要求,产量和工厂集成要求选择Evatec 机台 

我们的专家将根据您的工艺要求,产能需求和工厂集成要求帮助您找到合适的机台。或者单击照片链接以了解有关每个机台的更多信息。

 

BAK 系列

成熟的蒸发台系列。可以选择标准蒸镀距离或通过配置额外的分享腔延长蒸镀距离。分享腔的选项特别为“Lift off”8英寸光刻胶剥离工艺进行优化,并减少贵金属消耗和提高产量。

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CLUSTERLINE® 200

从薄膜腔声谐振滤波器(FBAR所需的电极和压电镀膜的单基板处理到温度补偿型SAW(TC-SAW) 器件中8英寸间隙填充和平面化工艺的动态批处理。

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声表面波(SAW)& 体声波(BAW)

我们使用蒸镀或溅镀的薄膜工艺支持无线通讯应用中现有和下一代低损耗射频 (RF) 滤波器件的制造。我们的BAK蒸发台可以定制为分离式腔体从而加长蒸镀距离的机台,应用Lift off或"自动上片"晶圆盒至晶圆盒式处理。而我们的专用阴极技术应用于

 

CLUSTERLINE® 200 II机台可镀具有最高晶体取向度和受控应力的AlN和AlScN等压电材料,用于谐振器,反射器和电极。

金属化工艺 

用于接触层和种子层的Evatec蒸发台使用Unicalc 等专有软件减少贵金属消耗。

优化了具有加长蒸镀距离的机台,以适应Lift off工艺的几何形状,其中后续的膜构图步骤要求零侧壁覆盖。

 

CLUSTERLINE® 200的配置选项包括经典的单基板或批处理,可同时处理不同尺寸和配方的基板,最大程度地利用机台。

从最新的高性能射频RF到5G无线设备更广泛的发展,我们的蒸镀和溅射机台支持应用于无线通讯的一系列薄膜工艺。我们提供用于IDT结构温度补偿所需的间隙填充和平面化的溅射工艺和机台。我们的蒸镀工艺专家为HBT和p-HEMT制造中的Lift off金属化提供机台和工艺,而我们的压电专家则为射频RF滤波器件技术提供诸如AlScN的高性能压电体的溅射镀膜。 

我们的机台和工艺可确保达到一流的厚度和应力均匀性,在最大200mm 的晶圆上实现高产量。

应用于无线通讯的EVATEC 机型

根据您的工艺要求,产量和工厂集成要求选择Evatec 机台 

我们的专家将根据您的工艺要求,产能需求和工厂集成要求帮助您找到合适的机台。或者单击照片链接以了解有关每个机台的更多信息。

 

声表面波(SAW)& 体声波(BAW)

我们使用蒸镀或溅镀的薄膜工艺支持无线通讯应用中现有和下一代低损耗射频 (RF) 滤波器件的制造。我们的BAK蒸发台可以定制为分离式腔体从而加长蒸镀距离的机台,应用Lift off或"自动上片"晶圆盒至晶圆盒式处理。而我们的专用阴极技术应用于

 

CLUSTERLINE® 200 II机台可镀具有最高晶体取向度和受控应力的AlN和AlScN等压电材料,用于谐振器,反射器和电极。

金属化工艺 

用于接触层和种子层的Evatec蒸发台使用Unicalc 等专有软件减少贵金属消耗。

优化了具有加长蒸镀距离的机台,以适应Lift off工艺的几何形状,其中后续的膜构图步骤要求零侧壁覆盖。

 

CLUSTERLINE® 200的配置选项包括经典的单基板或批处理,可同时处理不同尺寸和配方的基板,最大程度地利用机台。